カリキュラムモデル
分類番号 E213-012-3
| 訓練分野 | 電気・電子系（E） |
|---|---|
| 訓練コース | 半導体デバイス製造技術 |
| 訓練対象者 | 半導体製造装置の設計・開発及び半導体デバイスの設計・開発に従事し、今後職場のリーダーの役割を担う者 |
| 訓練目標 | ＭＯＳトランジスタ及びＴＩＧマスクを使用し、ウエハ投入から組立までの前工程の実習とＭＯＳトランジスタの電気的特性評価を通して半導体製造プロセスの原理、構成、課題及び半導体製造装置の原理、特性、課題等について習得することにより、品質の改善や業務の効率化、システム化に関する職務が遂行できる。 |
| 教科の細目 | 内容 | 訓練時間（H） |
|---|---|---|
| １．導入教育 | （１）半導体プロセスの概要 （２）ＴＩＧの説明 （３）実習システムの取り扱い説明 （４）評価装置の取り扱い説明 （５）安全教育 |
3 |
| ２．酸化・拡散工程 | （１）ウエハ前処理 （２）酸化工程 （３）拡散層のパターニング （４）ポリシリ膜成膜 （５）ポリシリ膜のパターニング （６）拡散工程 |
8 |
| ３．アルミ配線工程 | （１）コンタク工程 （２）アルミ成膜 （３）アルミ配線パターニング |
6 |
| ４．組立工程 | （１）ペレッタイズ工程 （２）パッケージ組立工程 （３）基本電気的特性評価 |
6 |
| ５．特性評価工程 | （１）電気的パラメータ測定 （２）評価のまとめ |
6 |
| ６．確認・評価 | （１）実習の全体的な講評および確認・評価 | 1 |
| 訓練時間合計 | 30 |
| 使用器具等 | 酸化炉、拡散炉、両面露光器、真空蒸着装置、減圧ＣＶＤ、エッチング装置、ネールヘッドボンダー、半導体パラメータアナライザ、抵抗率測定器、エリプソメータ、表面段差計、その他 |
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