カリキュラムモデル
分類番号 E213-011-3
訓練分野 | 電気・電子系(E) |
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訓練コース | 半導体プロセス(フォトリソ工程編) |
訓練対象者 | 半導体製造装置の設計・製造及び半導体デバイスの設計・製造に従事し、今後現場の管理的役割を担う者 |
訓練目標 | フォトリソ工程の構成、特性、特徴及びフォトリソ用装置の原理・構造、特性を実践的に習得する事により、品質の改善や業務の効率化、システム化に関する職務が遂行できる。 |
教科の細目 | 内容 | 訓練時間(H) |
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1.フォトリソ工程の基本 | (1)露光、現像の原理、特性 (2)ウエット・エッチングとドライ・エッチングの原理、特性 |
2 |
2.フォトリソ工程用装置 | (1)露光装置の原理、構造、特性 (2)ウエット・エッチング装置の原理、構造、特性 (3)ドライ・エッチング装置の原理、構造、特性 (4)安全教育 |
3 |
3.アルミ膜のパターニング | (1)アルミ膜上の露光、現像実習 (2)アルミ膜のエッチング特性評価 |
6 |
4.ポリシリ膜のパターニング | (1)ポリシリ膜上の露光、現像実習 (2)ポリシリ膜のエッチング特性評価 |
6 |
5.シリコン窒化膜のパターニング | (1)シリコン窒化膜上の露光、現像実習 (2)シリコン窒化膜のエッチング特性評価 |
6 |
6. 確認・評価 | (1)実習の全体的な講評および確認・評価 | 1 |
訓練時間合計 | 24 |
使用器具等 | 両面露光器、スビナー、ベーク炉、現像装置、エリプソメータ、表面段差計、エッチング装置、金属顕微鏡、その他 |
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