カリキュラムモデル
分類番号 E213-010-3
| 訓練分野 | 電気・電子系（E） |
|---|---|
| 訓練コース | 半導体プロセス（成膜工程編） |
| 訓練対象者 | 半導体製造装置の設計・製造及び半導体デバイスの設計・製造に従事し、今後現場の管理的役割を担う者 |
| 訓練目標 | 各種成膜工程の構成、特性、特徴及び各種成膜装置の原理・構造、特性等を実践的に習得することにより、品質の改善や業務の効率化、システム化に関する職務が遂行できる。 |
| 教科の細目 | 内容 | 訓練時間（H） |
|---|---|---|
| １．成膜の原理 | （１）ＣＶＤによる成膜の原理、特性 （２）ＰＶＤによる成膜の原理、特性 |
2 |
| ２．成膜装置 | （１）ＣＶＤ装置の原理、構造、特性 （２）ＰＶＤ装置の原理、構造、特性 |
2 |
| ３．アルミ成膜実習 | （１）アルミ膜厚のフィラメント電流・時間依存性 （２）アルミ膜の特性評価 |
4 |
| ４．ポリシリ成膜実習 | （１）ポリシリ成膜速度の温度・時間・ガス圧依存性 （２）ポリシリ膜の特性評価 |
8 |
| ５．シリコン窒化膜成膜実習 | （１）シリコン窒化膜成膜速度の温度・時間・ガス圧依存性 （２）シリコン窒化膜の特性評価 |
7 |
| ６．確認・評価 | （１）実習の全体的な講評および確認・評価 | 1 |
| 訓練時間合計 | 24 |
| 使用器具等 | 減圧ＣＶＤ装置、真空蒸着装置、表面段差計、エリプソメータ、抵抗率測定器、エッチング装置、その他 |
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