カリキュラムモデル
分類番号 E204-013-3
訓練分野 | 電気・電子系(E) |
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訓練コース | CMOS集積回路の設計と動作シミュレーション(デバイス編) |
訓練対象者 | CMOS集積回路の設計技術に従事し、今後、職場のリーダの役割を担う者 |
訓練目標 | CMOS集積回路について、デバイスの内部構造から集積回路までCAD/CAEシステムを使用して実習を行い、CMOS集積回路の設計技法及び動作形態を実践的に習得する。 |
教科の細目 | 内容 | 訓練時間(H) |
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1.CMOSとマスクパターン | (1)CMOS製造プロセスとマスクパターン (2)トランジスタ相互の配線と回路の構造 (3)デザインルールについて |
6 |
2.MOSトランジスタの設計 | (1)不純物濃度と抵抗率及び他のパラメータ (2)ダイオードとトランジスタの基本モデル (3)トランジスタのスイッチモデル |
6 |
3.インバータの設計とシミュレーション | (1)PMOSインバータとNMOSインバータの設計 (2)CMOSインバータの設計と伝達特性 (3)インバータチェーンのパルス応答 |
8 |
4.ゲート回路の設計とシミュレーション | (1)CMOSゲート回路の概念 (2)NORゲート、NANDゲート、複合ゲートの設計 (3)ゲート回路の性能評価 |
9 |
5.確認・評価 | (1)実習の全体的な講評および確認・評価 | 1 |
訓練時間合計 | 30 |
使用器具等 | シミュレーションソフトCADシステム、他 |
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