カリキュラムモデル
分類番号 E203-005-2
| 訓練分野 | 電気・電子系（E） |
|---|---|
| 訓練コース | 半導体プロセス基礎 |
| 訓練対象者 | 半導体デバイスの設計・製造・検査に従事する者 |
| 訓練目標 | 半導体ウエハプロセスの基本を習得する。 |
| 教科の細目 | 内容 | 訓練時間（H） |
|---|---|---|
| １．半導体プロセスの概要 | （１）ウエハプロセスの定義 （２）ウエハプロセスの構成 |
2 |
| ２．洗浄技術 | （１）洗浄技術の基本 （２）ウエハプロセスに於ける洗浄技術 （３）洗浄とその効果 |
2 |
| ３．酸化技術 | （１）酸化技術の基本 （２）ウエハプロセスに於ける酸化技術 （３）酸化技術の実際 |
2 |
| ４．拡散技術 | （１）拡散技術の基本 （２）ウエハプロセスに於ける拡散技術 （３）拡散技術の実際 |
2 |
| ５．イオン注入 | （１）イオン注入技術の基本 （２）イオン注入技術の利点、欠点 （３）イオン注入技術のデバイスへの応用 |
2 |
| ６．薄膜形成技術 | （１）ＣＶＤ、ＰＶＤ技術の基本 （２）ウエハプロセスに於けるＣＶＤ、ＰＶＤ技術 （３）ＣＶＤ、ＰＶＤ技術の諸問題 |
4 |
| ７．エッチング技術 | （１）エッチング技術の基本 （２）ウエットエッチング技術 （３）ドライエッチング技術 |
2 |
| ８．リソグラフィ技術 | （１）レジストプロセスの基本 （２）レジストプロセスの実際 （３）レジストプロセスの問題点 |
2 |
| 訓練時間合計 | 18 |
| 使用器具等 |
|---|