カリキュラムモデル
分類番号 E203-004-2
訓練分野 | 電気・電子系(E) |
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訓練コース | 半導体デバイスの定量的解析 |
訓練対象者 | 半導体デバイスの設計・製造・検査に従事し、今後、職場のリーダーの役割を担う者 |
訓練目標 | 半導体に関する一般的な知識からIC(集積回路)までの一連の知識を体系的に習得する。 |
教科の細目 | 内容 | 訓練時間(H) |
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1.半導体の物性 | (1)半導体に関する物性物理 | 3 |
2.半導体の理論と特性 | (1)PN接合からバイポーラトランジスタに関する理論と特性 (2)ユニポーラデバイス(MOS)に関する理論と特性 (3)特性の定量的解析 |
8 |
3.半導体と製造プロセス | (1)ユニポーラデバイスの製造プロセス (2)バイポーラデバイスの製造プロセス (3)製造プロセスでの非線形性 |
3 |
4.集積回路 | (1)モノリシック、ハイブリッドICからLSIに関する体系 的学習 |
3 |
5.応用 | (1)バイポーラ、ユニポーラデバイスのディスクリート回路 (2)各種ICの応用(オペアンプ、ロジックIC等) (3)光素子関連 |
6 |
6.確認・評価 | (1)実習の全体的な講評および確認・評価 | 1 |
訓練時間合計 | 24 |
使用器具等 | カーブトレーサ、CAD、回路設計トレーナ、その他 |
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