カリキュラムモデル
分類番号 E203-002-2
| 訓練分野 | 電気・電子系（E） |
|---|---|
| 訓練コース | ＭＯＳデバイスの特性 |
| 訓練対象者 | 電子機器の設計・開発・製造・検査・保全に従事する者、半導体デバイスの設計・製造に従事する者など |
| 訓練目標 | ＣＭＯＳ−ＩＣの電気的特性実験を行うことにより、ＭＯＳデバイスの原理、基本特性の理解を深め、応用力を習得する。 |
| 教科の細目 | 内容 | 訓練時間（H） |
|---|---|---|
| １．ＭＯＳデバイスの原理 | （１）ＭＯＳデバイスの原理、構造、基本特性 | 3 |
| ２．電気的特性実験 | （１）入出力特性、出力電流特性、ＣＭＯＳ−ＩＮＶの電源電 流特性 （２）入力インピーダンス特性、消費電力特性 （３）遅延時間−入力振幅特性、遅延時間−出力容量特性 （４）電源電流−温度特性、遅延時間−温度特性 （５）ラッチアップ特性、パソコン−電源ノイズ特性 |
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| 訓練時間合計 | 18 |
| 使用器具等 | 電源、Ｘ−Ｙレコーダ、パルスジェネレータ、シンクロスコープ、恒温槽、ＬＣＲメータ、カーブトレーサ、その他 |
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