カリキュラムシート
分類番号 A304-006-A
| 訓練分野 | 電気・電子系 |
|---|---|
| 訓練コース | 半導体デバイスモデリング技術 |
| 訓練対象者 | 電子機器等の電子回路設計に従事する技能・技術者等であって、指導的・中核的な役割を担う者又はその候補者 |
| 訓練目標 | デバイス設計の新たな品質及び製品の創造をめざして、高付加価値化に向けた半導体デバイスモデリングに必要なパラメータの抽出実習を通して、半導体デバイスモデリング技術を習得する。 |
| 教科の細目 | 内容 | 訓練時間（H） | うち実習・ まとめ（H） |
|---|---|---|---|
| １．コースの概要及び留意事項 | （１）コースの目的 （２）専門的能力の現状確認 （３）安全上の留意事項 |
0.5 | |
| ２．ダイオードのデバイスモデリング | （１）シミュレーションとデバイスモデル（スパイスモデル）の関係と考え方 （２）ダイオード・パラメータ（ＩＳ、Ｎ、ＲＳ、ＩＫＦ、ＣＪＯ、ＶＪ、 Ｍ、ＴＴなど）の抽出方法 |
1.5 | |
| ３．ダイオード・モデルの評価方法 | （１）順方向特性 （２）容量特性 （３）逆回復特性 |
1 | 0.5 |
| ４．トランジスタのデバイスモデリング | （１）バイポーラトランジスタ・パラメータ（ＶＡＲ、ＢＲ、ＩＳＣ、ＮＣ、 ＩＳ、ＲＢ、ＶＡＦ、ＢＦ、ＩＫＦ、ＩＳＥ、ＮＫ、ＲＣ、ＣＪＣ、 ＶＪＣ、ＭＪＣ、ＣＪＥ、ＶＪＥ、ＭＪＥ、ＴＦ、ＴＲなど）の抽出方法 |
2 | |
| ５．トランジスタ・モデルの評価方法 | （１）Ｉｃ－ｈＦＥ特性 （２）Ｖｃｅ（ｓａｔ）Ｖｏｌｔａｇｅ特性 （３）Ｖｂｅ（ｓａｔ）Ｖｏｌｔａｇｅ特性 （４）スイッチング特性 （５）出力特性 |
2 | 1.5 |
| ６．パワーＭＯＳＦＥＴのデバイスモデリング | （１）ＭＯＳＦＥＴ・パラメータ（Ｌ、Ｗ、ＴＯＸ、ＫＰ、ＲＤ、ＲＤＳ、 ＣＧＳＯ、ＣＧＤＯ、ＭＪ、ＰＢ、ＲＧ）の抽出方法 （２）ボディダイオード・パラメータ（ＩＳ、Ｎ、ＲＳ、ＩＫＦ）の抽出方法 |
2 | 2 |
| ７．パワーＭＯＳＦＥＴモデルの評価方法 | （１）Ｖｇｓ－Ｉｄ特性 （２）Ｉｄ－Ｒｄｓ（ｏｎ）特性 （３）ゲート・チャージ特性 （４）スイッチング特性 （５）出力特性 |
2 | 1.5 |
| ８．まとめ | （１）実習に対する講評 （２）総括及び質疑・応答 |
1 | 1 |
| 訓練時間合計 | 12 | 6.5 |
| 使用器具等 | 回路シミュレータ |
|---|---|
| 養成する能力 | 新たな品質の創造又は製品を生み出すことができる能力 |
| 改訂日 | 2020.09 |