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1光IV1IpEF1.はじめに2.太陽電池の原理職業能力開発総合大学校東京校 電気・電子系吉田 信也・古井 英則図1 PN接合での電子・正孔の生成1/2010図2 取り出せる電力特集 近年,太陽光発電はクリーンエネルギーの活用面から話題となっている。また,この太陽光発電は環境対策の一環とし政府も力を注いでいる。 職業大東京校では,学生の教育訓練,および,関連技術者育成(含む教材開発)を目的として研究に取り組んでいる。 本報は,その概要を報ずるものである。 原理は,半導体のPN接合部に光エネルギーを吸収させそのエネルギーで価電子帯の電子を励起させ,電子・正孔対を生成する。 発生した伝導帯の電子群は負極(-)となり,価電子帯の正孔群は正極(+)として作用し起電力を得る。 図1は,その概念を示したものである。図2は,取り出せる電力について概要を示したものである。PN接合の特性で,暗電流に相当する特性はダイオード静特性であり,光照射時の電流の特性が起電力を生じたときの特性である。図中の斜線部が取り出せる電力部分である。 取り出せる電圧値は,PN接合の1セル(一素子)当たりは,0.6~0.7V程度である。したがって,高い電圧を得るにはセルの直列接続が必要となる。また,大きい電力を得るには広いセル面積(セルの並列接続など)が必要となる。 また,照射光に対する変換エネルギー効率は,下記のように処理され,データ値はこの計算方法が一般に用いられている(図2参照)。 開放電圧:Voc 短絡電流:Iscとし,受光面面積:Sとすると電流密度:Jscは次式となる。  Jsc=Isc/S  …… ⑴また,最大出力電圧:Vmax 最大電流:Imaxとすると特性の曲線因子:FFは次式となる。  FF=Vmax・Imax …… ⑵Voc・Isc電子n形正孔p形Is暗電流外部に取り出せる電力ImaxIsc光照射時の電流I =−(Is+Ip)Id = Is (exp(eV/kT)−1)VmaxI = Is{exp(eV/kT)−1}−IpVoc新技術・新産業にかかる職業訓練の現状について― 発電・計測装置の製作と計測プログラムの作成・評価 ―省エネルギー化への取り組み太陽光発電を利用した

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