ユ ニ ッ ト シ ー ト | ||||||
氏 名 | ||||||
ユニット | パワーデバイスの基本 | 分類番号 | EU205-X310-2 | 自 己評 価 | 指導員確 認 | |
到達水準 | (1)パワー半導体デバイスの構造について知っていること | |||||
(2)パワー半導体デバイスの動作原理について知っていること | ||||||
(3)パワー半導体デバイスの選定方法について知っていること | ||||||
(4)安全衛生作業ができること | ||||||
教科の細目 | 内 容 | 訓 練 時 間 | ||||
学科 | 実技 | |||||
スイッチ | (1)機械的スイッチと半導体スイッチ | 1 | ||||
(2)理想的なスイッチとその条件 | ||||||
(3)半導体スイッチに要求される条件 | ||||||
パワー半導体 | (1)半導体とは | 2 | ||||
デバイス | (2)真性半導体 | |||||
(3)n形半導体とp形半導体 | ||||||
(4)パワー半導体デバイスの種類 | ||||||
ダイオード | (1)ダイオードの特性 | 1 | 1 | |||
(2)ダイオードの用途 | ||||||
サイリスタ | (1)サイリスタの構造と働き | 1 | 2 | |||
(2)サイリスタのターンオン | ||||||
(3)サイリスタのターンオフ | ||||||
(4)ゲートターンオフサイリスタ(GTO) | ||||||
パワートランジ | (1)バイポーラトランジスタ | 1 | 2 | |||
スタ | (2)バイポーラトランジスタのスイッチング特性 | |||||
パワーMOSFETと | (1)FETの基本原理 | 2 | 2 | |||
IGBT | (2)接合形FET | |||||
(3)パワーMOSFETとスイッチング特性 | ||||||
(4)IGBT | ||||||
デバイスの選定 | (1)各種デバイスの選定方法 | 1 | 2 | |||
(2)パワートランジスタの選定方法 | ||||||
(3)MOSFETの選定方法 | ||||||
(4)IGBTの選定方法 | ||||||
安全衛生 | (1)安全一般 | |||||
(2)整理整頓 | ||||||
9 | 9 | |||||
使用する機械 器具等 |
オシロスコープ、直流電源、波形発生装置、テスタ、ブレッドボード、各種デバイス | |||||
備 考 | ||||||
※自己評価欄にはA、B、Cを記入する。 |